روسیه نقشه راه فناوری لیتوگرافی تولید تراشه خود تا سال ۲۰۳۷ را تشریح کرد

مؤسسه فیزیک ریزساختار از زیرمجموعه آکادمی علوم روسیه نقشه راه بلندمدت خود را برای توسعه ابزارهای لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ارائه کرده است تا این کشور را به لیست کشورهای تولیدکننده تراشه‌های پیشرفته اضافه کند.

به ریپورت Tom’s Hardware، پروژه جدید از سال آینده میلادی با استفاده از فرایند ۴۰ نانومتری آغاز خواهد شد و تا سال ۲۰۳۷ ادامه دادن می‌یابد. این پروژه نیز ساخت تراشه با فرایند زیر ۱۰ نانومتر را نیز شامل می‌شود. این نقشه راه جدید نسبت به برخی نقشه‌های قبلی واقعی‌تر به نظر می‌رسد، بااین‌حال هنوز شک و تردیدهای زیادی درباره اجرایی‌شدن آن هست.

روسیه می‌خواهد تا سال ۲۰۳۷ به فرایند ساخت تراشه پیشرفته دست یابد

اولین نکته‌ای که در این نقشه راه جلب‌توجه می‌کند، اجتناب از تکرار معماری ابزارهای شرکت ASML در توسعه سیستم‌های پیشنهادی EUV است. برنامه روسیه در عوض بر استفاده از مجموعه‌ای کاملاً متفاوت از فناوری‌ها از جمله لیزرهای حالت جامد هیبریدی، منابع نور مبتنی بر پلاسما زنون، و آینه‌هایی ساخته‌شده از روتنیوم و بریلیم (Ru/Be) که نور را در طول موج ۱۱.۲ نانومتر بازتاب می‌دهند، تمرکز دارد.

انتخاب زنون به‌جای قطرات قلع که در ابزارهای EUV شرکت ASML استفاده می‌شود، از ایجاد ذرات زائد که به فوتوماسک‌ها آسیب می‌رسانند، جلوگیری می‌کند و باعث می‌شود هزینه نگهداری به میزان قابل‌توجهی کاهش یابد. در همین حال، در مقایسه با ابزارهای فرابنفش ژرف (DUV) شرکت ASML، این سیستم‌ها با پیچیدگی کمتری طراحی شده‌اند تا از به‌کارگیری مایع‌های فشار بالا برای غوطه‌وری و ثبت الگو در چند مرحله برای گره‌های پیشرفته اجتناب شود.

نقشه راه جدید روسیه شامل ۳ مرحله اصلی است:

• اولین سیستم که برای سال‌های ۲۰۲۶ تا ۲۰۲۸ برنامه‌ریزی شده یک دستگاه لیتوگرافی با قابلیت ساخت ۴۰ نانومتری است که دارای یک سامانه دو آینه‌ای، دقت همپوشانی ۱۰ نانومتری، میدان تابش حداکثر ۳ × ۳ میلی‌متری و توان تولید بیش از پنج ویفر در ساعت است.
• مرحله دوم که بین سال‌های ۲۰۲۹ تا ۲۰۳۲ انجام می‌شود، شامل یک اسکنر ۲۸ نانومتری با قابلیت ارتقا به ۱۴ نانومتر است که از سیستم اپتیکی چهارآینه‌ای استفاده می‌کند. این سیستم دارای دقت همپوشانی ۵ نانومتری، میدان تابش ۲۶ × ۰.۵ میلی‌متری و توان لاگ‌آوتی بیش از ۵۰ ویفر در ساعت است.
• مرحله سوم برای سال‌های ۲۰۳۳ تا ۲۰۳۶ برنامه‌ریزی شده تا تولید زیر ۱۰ نانومتری را با تنظیم کردن شش آینه‌ای، تراز همپوشانی ۲ نانومتری و ابعاد میدان حداکثر ۲۶ × ۲ میلی‌متری امکان‌پذیر کند. این سیستم برای دستیابی به توان لاگ‌آوتی بیش از ۱۰۰ ویفر در ساعت طراحی شده است.

هدف این برنامه خودکفایی روسیه در زمینه تراشه‌ها است، اما اجرایی شدن آن به عوامل مختلفی بستگی دارد.